電院來新泉教授團隊首次在集成電路頂級國際期刊JSSC上發表一作論文

2018年6月，微電子學與集成電路領域國際頂級期刊《IEEE固態電路學報》（IEEE Journal of Solid-State Circuits，簡稱JSSC）登載了電子工程學院來新泉教授團隊以為西電第一作者單位發表的論文“Oversampling Successive Approximation Technique for MEMS Differential Capacitive Sensor”。該工作全部在西電完成，電子工程學院的來新泉教授親自指導的博士生鐘龍杰為該論文第一作者，葉強、袁冰等老師提供了部分流片驗證和測試。西電成為西北地區首個以第一作者單位身份發表JSSC論文的高校，充分展示了西電在集成電路設計領域深厚的積累和雄厚的科研實力。

JSSC為集成電路設計領域國際頂級學術期刊。自1966年創刊至今50余年時間內，中國大陸高校在此期刊上總計發表論文僅40余篇。其中，清華大學發表17篇，復旦大學發表10篇，電子科技大學發表5篇，東南大學4篇，北京大學3篇，哈爾濱工業大學與華中科技大學分別于2015年和2017年突破第一篇。

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MEMS傳感器是當前建設物聯網生態系統關鍵的硬件技術之一，也是倍受商/軍/工/學術界關心的重大建設方向。該研究圍繞微米級MEMS工藝和納米級CMOS工藝的尺寸縮微效應帶來的設計挑戰——包括寄生參數導致的增益誤差惡化效應、噪聲惡化效應、機電耦合導致的非線性調制效應等——全面展開。該研究的初步成果是針對寄生電容導致的惡化效應提出了一種迭代型讀出方法，并采用一種精簡的電路實現。結果極大改善亞飛法級MEMS梳齒電容型加速度計的讀出精度。芯片采用0.18um BCD工藝制造，在0.35uW的功耗和1.8V的低電壓條件下實現了-80dB PCRR的高寄生電容抑制比（領先國際同類研究水平14dB以上）。后續的已完成了5版流片驗證，進一步達到了-124dB的寄生電容抑制比，系統性研究成果已陸續發表在電路領域旗艦期刊《IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers》上。并正積極在推進該研究成果入圍頂級會議ISSCC，該研究極大推進了西電在集成電路領域的技術拓展與國際認可度。西安電子科技大學來新泉教授團隊還在《IEEE Transactions on Power Electronics》、《IEEE Transactions on Industrial Electronics》、《IET Power Electronics》等期刊上，于該領域發表多篇一作論文。